Nanoscribe GmbH - True 3D Laser Lithography
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Chalkogenide Gläser

Mikrospiralen aus chalkogenidem Glas As2S3Nanoscribe bietet ein hochbrechendes Photolacksystem für die 3D Nano- und Mikrolithografie an. Der Negativlack basiert auf Arsentrisulfid (As2S3) und hat einen Brechungsindex von 2,45. Kombiniert mit unserem 3D Laser-Lithografiesystem hat der Benutzer die Möglichkeit, vielseitige Strukturen wie Wellenleiter, Strahlteiler, Resonatoren und dreidimensionale photonische Kristalle herzustellen, die alle von dem hohen Brechungsindexkontrast zu Luft profitieren.

Mit Hilfe einer Aufdampfanlage kann die Höhe des photopolymerisierbaren As2S3-Films (Brechungsindex 2,32) sehr genau eingestellt werden. Während des Belichtens vernetzt das Material und der Brechungsindex erhöht sich auf  2,45. Aufgrund des hohen Brechungsgindexkontrasts kann die Mikrostruktur schon während des Laserschreibens betrachtet werden.

Zum Entwickeln dreidimensionaler Strukturen, vertreibt Nanoscribe eine proprietäre Chemikalie, die das unpolymerisierte Material hochselektiv ätzt. Mit diesem Photolacksystem können dreidimensionale Strukturen mit Linienbreiten von etwa 200 nm realisiert werden.

Nanoscribe liefert vorbeschichtete Substrate (benutzerdefinierte Dicke nach Wunsch), die direkt in ein Laser-Lithografiesystem eingebaut werden können. Nach der Photostrukturierung legt man das Substrat zum Entwickeln in die hochselektive Ätze (keine komplizierte Nachprozessierung nötig). Alle benötigten Informationen zur Prozessierung sowie die Sicherheitshinweise erhalten Sie natürlich bei Lieferung.

Dokumente
NanoscribeGmbH-Chalcogenide Glasses.pdf

Konferenzen


Bevorstehende Messen und Konferenzen, auf denen Nanoscribes 3D Laser-Lithografiesystem präsentiert wird:

Semicon Taiwan 2010

Taipei, Taiwan
8.-10. September 2010
Stand: 2334


Metamaterials 2010

Karlsruhe, Deutschland
13.-16. September 2010


MNE 2010

Genua, Italien
19.-22. September 2010
Stand: S5


PECS 2010

Granada, Spanien
26.-30. September 2010
Stand: 11


NanoBioTech 2010

Montreux, Schweiz
15.-17. November 2010