IPフォトレジスト
ナノスクライブのIP フォトレジスト・シリーズは2 光子重合による真の3 次元直接レーザー描画での要求に応えて特別に開発されたものです。すなわち、高い機械的安定性、且つ3次元における驚異的な解像度の両立を得られるものは、アクリル系ネガティブ・レジストです。
基本的特徴:
- 形状100nm 以下
- 低近接効果
- 低応力
- 微小な縮小量
- ガラス基板への良好な粘着性
- 容易な取扱い
- レジストのドロップ・キャスティング
- プリベーク不要(IP-L)
- 露光後ベーク不要(IP-L,IP-G)
これらの特性の組み合わせによって、解像度を極限まで追求できるだけでなく、膜厚と環境の湿度が異なる場合でも良好な再現性をもたらし、現像時に、高解像度が求められる時に重要となるフォトレジストのハンドリング条件(ベークの温度コントロールや環境のコンディションの制御)を最適化するにあたって、殆ど手がかかりません。
IP-G
IP-G はアクリル系レジストのゾル・ゲル状組成物です。その高粘性から、任意の描画シーケンスとマイクロ~サブミクロン・スケールの最小形状を伴う複雑な描画が求められるタスクに最適です。(上に示したミニチュアのエッフェル塔の写真をご覧下さい。)
IP-L
IP-L は、これまでナノスクライブのレーザー・リソグラフィー・システムとのコンビネーションで最高の高解像度を達成した、液状レジスト組成物です。

図1:平行線によるグレーティング。ロッドのセンター間のピッチは300nm。線幅は90nm以下。使用材料:IP-L

図2:並行に並べたロッドが積み重なった薪の山状構造。ロッドのセンター間ピッチは100nm 刻みで1.5μm~0.4μm まで異なる。使用材料:IP-L






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